图是干与型消声器结构的原理图运用这一结构能够消除噪声当发动机排气噪声声波经管道抵达点A时分红两路而
在点B相遇,声波因干与而相消,假如要消除频率为300Hz的发动机排气噪声,则图中弯管与直管的长度差Δr=r
而在点B相遇,声波因干与而相消,假如要消除频率为300Hz的噪音,求图中弯道与直管长度差,△r=r2-r1至少应为多少(设声速为340m/s)?
而在点B相遇,声波因干与而相消。假如要消除频率为300Hz的发动机排气噪声,求图中弯道与直管长度差△r=r2-r1至少应为多少?(设声波速度为340m·s-1。)
B . 抗性消声器主要是因为气流管道内衬吸收声响的资料损耗部分声能而到达消声作用
图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的办法.在n型半导体的基质硅片外表经杂质扩散而构成p型半导体区.p区与n区的交界面叫pn结,pn结距外表的深度(即p区厚度)xj叫结深.在半导体工艺上需求测定结深,丈量的办法是先经过磨角、染色,使p区和n区的分界线清楚地显示出来,然后盖上半反射膜,在它与硅片之间构成尖劈形空气薄膜.用单色光笔直照耀时,能够观察到空气薄膜的等厚干与条纹.数出p区空气薄膜的条纹数目△k,即可求出结深
因为光在金属或半导体外表反射时相位改变很杂乱,用本办法丈量结深xj没考虑此相位骤变,因而丈量成果不太准确.更准确的丈量办法见图3-10(b),半反射膜不是像在图3-10(a)中那样紧贴在p区上外表,而是一端略微往上翘一点,观察到的干与条纹如图3-10(b)下方所示.试阐明:
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